该器件采用先进的IGBT PowerMESH工艺,二极管采用Turbo 2超快高压技术。这种组合在传导损耗和开关行为之间产生了非常好的权衡,使产品非常适合在高频下工作的各种高压应用。
特色
- 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
- 低电压降(VCE(sat))
- 低Cres/Cies比率(无交叉传导敏感性)
- 开关损耗包括能量回收
- 短路额定值
- Verysoft超快恢复反并联二极管
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 16.35270 | 16.35270 |
30+ | 14.51354 | 435.40644 |
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该器件采用先进的IGBT PowerMESH工艺,二极管采用Turbo 2超快高压技术。这种组合在传导损耗和开关行为之间产生了非常好的权衡,使产品非常适合在高频下工作的各种高压应用。
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