9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGF19NC60WD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGF19NC60WD参考价格为2.15000美元。STMicroelectronics STGF19NC60WD封装/规格：IGBT 600V 14A 32W TO220FP。您可以下载STGF19NC60WD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGF19NC60KD是IGBT 600V 16A 32W TO220FP，包括PowerMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.081130盎司，提供通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及标准输入型，该设备也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220FP，该设备为单配置，该设备最大功率为32W，反向恢复时间trr为31ns，集电器Ic最大值为16A，集电器-发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为75A，最大Vge Ic上的Vce为2.75V@15V，12A，开关能量为165μJ（on），255μJ（关），栅极电荷为55nC，25°C时的Td为30ns/105ns，测试条件为480V、12A、10 Ohm、15V，Pd功耗为32W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2 V，并且25℃下的连续集电极电流为35A，并且栅极-发射极漏电流为100nA，并且最大栅极-发射极电压为20V，并且持续集电极电流Ic-Max为16A。
STGF19NC60HD是IGBT 600V 16A 32W TO220FP，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.5V@15V、12A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供390V、12A、10 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，189μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-220FP供应商装置包。此外，该系列是PowerMESH？，该设备的反向恢复时间为31ns，最大功率为32W，Pd功耗为35W，包装为管式，包装箱为TO-220-3全包装，安装方式为通孔，安装类型为通孔式，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20V，输入类型为标准，栅极发射极漏电流为+/-100nA，栅极电荷为53nC，集电极脉冲Icm为60A，集电极Ic最大值为16A，连续集电极电流Ic最大为16A，配置为单一，集电极发射极电压VCEO最大值为600V，集电极-发射极饱和电压为1.8V/1.6V。
STGF17NC60SD是IGBT 600V 17A 32W TO220FP，包括17A集流器Ic Max，它们设计为与80A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于54.5oC的栅极电荷，提供输入类型功能，如标准，安装类型设计为在通孔中工作，以及to-220-3全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为32W，设备提供31ns反向恢复时间trr，设备具有PowerMESH？供应商设备包为TO-220FP，开关能量为135μJ（开）、815μJ（关），25°C时的Td为17.5ns/175ns，测试条件为480V、12A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic为1.9V@15V、12A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
