STGW60H65DF

Name: STGW60H65DF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7175037-STGW60H65DF
Price: 35.664040 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 360瓦供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
部件状态过时的
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 120 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大整流电流 (Icm) 240 A
供应商设备包装 TO-247-3
反向恢复时长 (trr) 62 ns
最大功率 360瓦
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V，60A
试验条件 400V, 60A, 10欧姆, 15V
开关能量 1.5mJ（开），1.1mJ（关）
门电荷 206 nC
开通/关断延时 (25°C) 67ns/165ns

STGW60H65DF 产品详情

该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。这种IGBT是传导损耗和开关损耗之间折衷的结果，最大化了高开关频率转换器的效率。此外，轻微正V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更容易。

特色

高速切换
紧密参数分布
安全并联
低热阻
6μs短路耐受时间
超快软恢复反并联二极管
无铅包装

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STGW60H65DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW60H65DF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW60H65DF价格参考￥35.664040，你可以下载 STGW60H65DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW60H65DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！