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STGWA75H65DFB2
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STGWA75H65DFB2

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 115 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 58.57966 58.57966
10+ 51.75903 517.59031
30+ 47.59729 1427.91870
100+ 44.10815 4410.81530
  • 库存: 0
  • 单价: ¥58.57966
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥58.58
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大整流电流 (Icm) 225 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 75A
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-247 Long Leads
  • 最大功率 357 W
  • 最大集电极电流 (Ic) 115 A
  • 门电荷 207 nC
  • 反向恢复时长 (trr) 88 ns
  • 开关能量 1.428mJ(开),1.05mJ(关)
  • 开通/关断延时 (25°C) 28ns/100ns
  • 试验条件 400V, 75A, 2.2欧姆, 15V

STGWA75H65DFB2 产品详情

STGWA75H65DFB2所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGWA75H65DFB2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGWA75H65DFB2价格参考¥58.579663,你可以下载 STGWA75H65DFB2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGWA75H65DFB2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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