该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该器件是“V”系列IGBT的一部分，代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化非常高频转换器的效率。此外，正V行政长官（sat）温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。
特色
- 最高结温：TJ=175°C
- 超高速开关系列
- 无尾关闭
- 低饱和电压：V行政长官（sat）=1.8 V（典型值）@IC=20年
- 紧密参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 无铅包装
STGFW20V60F
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 52 W 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.19368 | 19.19368 |
| 10+ | 17.23085 | 172.30859 |
| 100+ | 13.85132 | 1385.13220 |
| 500+ | 11.37990 | 5689.95000 |
| 1000+ | 10.73578 | 10735.78900 |
- 库存: 285
- 单价: ¥17.45539
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.19
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 通孔
- 集电极击穿电压 600 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-3P-3全套
- 供应商设备包装 TO-3PF
- 门电荷 116 nC
- 最大集电极电流 (Ic) 40 A
- 最大整流电流 (Icm) 80 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 20A
- 最大功率 52 W
- 开关能量 200J (on), 130J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 38ns/149ns
- 试验条件 400V, 20A, 15V
STGFW20V60F 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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STGFW20V60F所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGFW20V60F 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGFW20V60F价格参考￥17.455389，你可以下载 STGFW20V60F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGFW20V60F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
