9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGF17NC60SD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGF17NC60SD参考价格$2.42000。STMicroelectronics STGF17NC60SD封装/规格：IGBT 600V 17A 32W TO220FP。您可以下载STGF17NC60SD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGF15H60DF是IGBT 600V 30A 30W TO220FP，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3全封装，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220FP，该设备为单配置，该设备的最大功率为30W，反向恢复时间trr为103ns，集电器Ic最大值为30A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽式场阻，集电器脉冲Icm为60A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，15A，开关能量为136μJ（开）、207μJ（关），栅极电荷为81nC，25°C时的Td为24.5ns/18ns，测试条件为400V、15A、10 Ohm、15V，Pd功耗为30W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极-发射极饱和电压为1.6V，25℃时的连续集电极电流为30A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为15A。
STGF14NC60KD是IGBT 600V 11A 28W TO220FP，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.5V@15V、7A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供390V、7A、10 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，155μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-220FP供应商装置包。此外，该系列是PowerMESH？，该器件以37ns反向恢复时间trr提供，该器件最大功率为28W，封装为管式，封装盒为TO-220-3全封装，安装方式为通孔，安装类型为通孔式，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，栅极-发射极漏电流为150uA，栅极电荷为34.4nC，集电极脉冲Icm为50A，集电极电流Ic最大值为11A，连续集电极电流最大值为11 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2 V。
带有电路图的STGF15M65DF2，包括30A集流器Ic Max，它们设计为与60A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于45nC的栅极电荷，该45nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-220-3全包装包装箱。此外，包装为管式，该设备的最大功率为31W，该设备具有142ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-220FP，开关能量为90μJ（开）、450μJ（关），开-关25°C的Td为24ns/93ns，测试条件为400V、15A、12 Ohm、15V，最大Vge Ic为2V@15V、15A，电压收集器-发射极击穿最大值为650V。
