该IGBT采用先进的PowerMESH？这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。
特色
- 较低的电压降（V行政长官（sat）)
- 极软超快恢复反并联二极管
- 下部C皇家经济学会/C类信息系统比率（无交叉传导敏感性）
- 短路耐受时间10μs
STGP15M65DF2
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 136 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.62825 | 19.62825 |
| 10+ | 17.62197 | 176.21976 |
| 100+ | 14.16131 | 1416.13180 |
| 500+ | 11.63513 | 5817.56950 |
| 1000+ | 10.57738 | 10577.38600 |
- 库存: 853
- 单价: ¥17.81753
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.63
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 最大整流电流 (Icm) 60 A
- IGBT型 场终止沟道
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 最大集电极电流 (Ic) 30 A
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220
- 最大功率 136 W
- 门电荷 45 nC
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 15A
- 开关能量 90J (on), 450J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 24ns/93ns
- 试验条件 400V, 15A, 12欧姆, 15V
- 反向恢复时长 (trr) 142 ns
STGP15M65DF2 产品详情
STGP15M65DF2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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STGP15M65DF2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP15M65DF2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP15M65DF2价格参考￥17.817534，你可以下载 STGP15M65DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP15M65DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
