该IGBT采用先进的PowerMESH?这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。
特色
- 较低的电压降(V行政长官(sat))
- 极软超快恢复反并联二极管
- 下部C皇家经济学会/C类信息系统比率(无交叉传导敏感性)
- 短路耐受时间10μs
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 49.25172 | 49.25172 |
10+ | 44.21790 | 442.17905 |
100+ | 36.22971 | 3622.97100 |
500+ | 30.84200 | 15421.00300 |
1000+ | 30.67368 | 30673.68200 |
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该IGBT采用先进的PowerMESH?这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。
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