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STGB20N40LZ

  • 描述:集电极击穿电压: 390伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 21.29412 21.29412
10+ 19.10677 191.06770
100+ 15.35567 1535.56720
500+ 12.61597 6307.98650
1000+ 11.90189 11901.89500
  • 库存: 391
  • 单价: ¥19.33854
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.29
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 输入类别 逻辑
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大整流电流 (Icm) 40 A
  • 最大功率 150瓦
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.6V@4V,6A
  • 门电荷 24 nC
  • 最大集电极电流 (Ic) 25 A
  • 集电极击穿电压 390伏
  • 开通/关断延时 (25°C) 700ns/4.3s
  • 试验条件 300V, 10A, 1kOhm, 5V

STGB20N40LZ 产品详情

IGBT Discretes,STMicroelectronics

特色

  • 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
  • ESD门发射器保护
  • 闸门收集器高压照明
  • 逻辑级门驱动器
  • 低饱和电压
  • 高脉冲电流能力
  • 栅极和栅极发射电阻器
STGB20N40LZ所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGB20N40LZ 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGB20N40LZ价格参考¥19.338543,你可以下载 STGB20N40LZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGB20N40LZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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