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STGB10NB40LZT4

  • 描述:集电极击穿电压: 440伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.09084 22.09084
10+ 19.81657 198.16574
100+ 15.92931 1592.93100
500+ 13.08763 6543.81550
1000+ 12.34682 12346.82700
  • 库存: 1000
  • 单价: ¥20.06283
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.09
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大整流电流 (Icm) 40 A
  • 最大功率 150瓦
  • 最大集电极电流 (Ic) 20A
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 门电荷 28 nC
  • 集电极击穿电压 440伏
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.8V@4.5V,10A
  • 开关能量 2.4mJ (on), 5mJ (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 1.3s/8s
  • 试验条件 328V, 10A, 1kOhm, 5V

STGB10NB40LZT4 产品详情

STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了一系列先进的IGBT PowerMESH,整体性能卓越。内置集电极-栅极齐纳表现出非常精确的有源箝位,而栅极-发射极齐纳提供ESD保护。

特色

  • AEC-Q101合格
  • 低阈值电压
  • Lowon电压降
  • 低门电荷
  • 高电流能力
  • 高压照明功能
STGB10NB40LZT4所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGB10NB40LZT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGB10NB40LZT4价格参考¥20.062833,你可以下载 STGB10NB40LZT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGB10NB40LZT4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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