STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了一系列先进的IGBT PowerMESH,整体性能卓越。内置集电极-栅极齐纳表现出非常精确的有源箝位,而栅极-发射极齐纳提供ESD保护。
特色
- AEC-Q101合格
- 低阈值电压
- Lowon电压降
- 低门电荷
- 高电流能力
- 高压照明功能
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 22.09084 | 22.09084 |
10+ | 19.81657 | 198.16574 |
100+ | 15.92931 | 1592.93100 |
500+ | 13.08763 | 6543.81550 |
1000+ | 12.34682 | 12346.82700 |
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STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了一系列先进的IGBT PowerMESH,整体性能卓越。内置集电极-栅极齐纳表现出非常精确的有源箝位,而栅极-发射极齐纳提供ESD保护。
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