9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGWA60H65DFB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGWA60H65DFB参考价格7.766美元。STMicroelectronics STGWA60H65DFB封装/规格：IGBT BIPO 650V 60A TO247-3。您可以下载STGWA60H65DFB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGWA60H65DFB带引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3以及标准输入类型，该设备也可作为通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247长引线，该设备为单配置，该设备的最大功率为375W，反向恢复时间trr为60ns，集电器Ic最大值为80A，集电器发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽式场阻，集电器脉冲Icm为240A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，60A，开关能量为1.59mJ（开），900μJ（关），栅极电荷为306nC，25°C时的Td为66ns/210ns，测试条件为400V，60A，10 Ohm，15V，Pd功耗为375 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极-发射极饱和电压为2V，25℃时的连续集电极电流为80A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为80A。
STGWA40S120DF3，带有用户指南，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.15V@15V、40A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、40A、15欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如35ns/148ns，开关能量设计为在1.43mJ（开）、3.83mJ（关）下工作，以及TO-247-3供应商设备包，该设备也可以用作900-1300V IGBT系列。此外，反向恢复时间trr为355ns，该设备的最大功率为468W，该设备具有468W的Pd功耗，包装为管状，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为129nC，集流器脉冲Icm为160A，集流电流Ic Max为80A，连续集流器电流Ic Max为40A，25℃时的连续集流电流为80A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极发射极饱和电压为1.65V。
STGWA45HF60WDI是IGBT 600V 80A 310W TO247，包括80A集流器Ic Max，它们设计用于150A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于160nC的栅极电荷，提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-247-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为310W，设备提供90ns反向恢复时间trr，设备具有供应商设备包的TO-247-3，开关能量为330μJ（关），25°C时的Td为-/145ns，测试条件为400V、30A、4.7 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
