STGWT20H65FB

Name: STGWT20H65FB
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7175174-STGWT20H65FB
Price: 210.909771 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 168瓦供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
包装/外壳至3P-3，SC-65-3
供应商设备包装 TO-3P
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大集电极电流 (Ic) 40 A
最大整流电流 (Icm) 80 A
门电荷 "120 NC"
试验条件 400V, 20A, 10欧姆, 15V
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 20A
开关能量 77J (on), 170J (off)
开通/关断延时 (25°C) 30ns/139ns
最大功率 168瓦

STGWT20H65FB 产品详情

该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该IGBT系列提供了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，最大限度地提高了极高频率转换器的效率。此外，正V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更容易。

特色

高速切换
紧密参数分布
安全并联
低热阻
短路额定值
超快软恢复反并联二极管

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STGWT20H65FB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWT20H65FB 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWT20H65FB价格参考￥210.909771，你可以下载 STGWT20H65FB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWT20H65FB规格参数、现货库存、封装信息等信息！