STGP7H60DF

Name: STGP7H60DF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7175204-STGP7H60DF
Price: 187.764940 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
安装类别通孔
集电极击穿电压 600 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳至220-3
最大集电极电流 (Ic) 14 A
供应商设备包装 TO-220
开通/关断延时 (25°C) 30ns/160ns
门电荷 46 nC
最大整流电流 (Icm) 28A
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95伏@15伏，7A
开关能量 99J（开），100J（关闭）
试验条件 400V, 7A, 47欧姆, 15V
反向恢复时长 (trr) 136纳秒
最大功率 88 W

STGP7H60DF 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH？这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。

特色

较低的电压降（V_{行政长官（sat）})
极软超快恢复反并联二极管
下部C_{皇家经济学会}/C类_信息系统比率（无交叉传导敏感性）
短路耐受时间10μs

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STGP7H60DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP7H60DF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP7H60DF价格参考￥187.764940，你可以下载 STGP7H60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP7H60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！