STGP30H65F

Name: STGP30H65F
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7175208-STGP30H65F
Price: 22.597848 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
部件状态过时的
最大集电极电流 (Ic) 60 A
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大整流电流 (Icm) 120 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大功率 260 W
包装/外壳至220-3
供应商设备包装 TO-220
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 30A
试验条件 400V, 30A, 10欧姆, 15V
门电荷 105 nC
开关能量 350J (on), 400J (off)
开通/关断延时 (25°C) 50ns/160ns

STGP30H65F 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

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STGP30H65F所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP30H65F 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP30H65F价格参考￥22.597848，你可以下载 STGP30H65F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP30H65F规格参数、现货库存、封装信息等信息！