特色
- 紧密参数分布
- 更安全的并联
- 低热阻
- 软快速恢复反并联二极管
- 10µs短路耐受时间
STGW40M120DF3
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 468 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 58.69526 | 58.69526 |
| 10+ | 51.60138 | 516.01389 |
| 30+ | 47.28200 | 1418.46018 |
- 库存: 60
- 单价: ¥58.69527
-
数量:
- +
- 总计: ¥58.70
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 1200伏
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 试验条件 600V, 40A, 10欧姆, 15V
- 最大整流电流 (Icm) 160 A
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 门电荷 125 nC
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 40A
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 反向恢复时长 (trr) 355 ns
- 最大功率 468 W
- 开通/关断延时 (25°C) 35ns/140ns
- 开关能量 1.5mJ（开），2.25mJ（关）
STGW40M120DF3 产品详情
STMicroelectronics的M系列1200V IGBT采用先进的沟槽栅极场停止技术，可在太阳能逆变器、焊接设备、不间断电源和工业电机驱动器等应用中节省更多能源并提高可靠性。由于具有高度优化的导通和关断特性以及低导通损耗，这些新的和改进的IGBT非常适合在高达20kHz的硬开关电路中使用。最高工作温度提高到175°C，安全工作区域（SOA）宽，无锁存操作，150°C时的短路耐受时间为10µs，确保在恶劣的环境和电气环境中的稳定性能。这些新器件核心的第三代技术包括沟槽栅极结构的新的先进设计和优化的高压IGBT结构。这使电压过冲最小化并消除了关断期间的振荡，从而减少了能量损失并简化了电路设计。同时，低饱和电压（VCE（sat））确保了高传导效率。VCE（sat）的正温度系数和紧密的参数分布简化了设备的并联，以提高功率处理能力。新设备还得益于提高的开机效率。此外，与IGBT反并联封装的最新一代二极管技术提供了快速的恢复时间和增强的柔软度，而不会显著增加导通损耗，从而产生出色的EMI性能。查看所有STMicroelectronics IGBT
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STGW40M120DF3所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW40M120DF3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW40M120DF3价格参考￥58.695267，你可以下载 STGW40M120DF3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW40M120DF3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
