9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGFW40H65FB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGFW40H65FB参考价格为3.49000美元。STMicroelectronics STGFW40H65FB封装/规格：IGBT HB 650V 40A ISOWATT218。您可以下载STGFW40H65FB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGFW40V60DF带有引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.245577盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-3PFM、SC-93-3以及标准输入类型，该设备也可以用作to-3PF-3供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为62.5W，该设备具有41ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为80A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟道场阻，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为456μJ（on），411μJ（关），栅极电荷为226nC，25°C时的Td为52ns/208ns，测试条件为400V、40A、10 Ohm、15V，Pd功耗为62.5W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，并且25℃下的连续集电极电流为80A，并且栅极-发射极漏电流为250nA，并且最大栅极-发射极电压为20V，并且持续集电极电流Ic-Max为40A。
STGFW40V60F带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.3V@15V、40A Vce（最大Vge Ic）下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.245577盎司，提供400V、40A、10欧姆、15V、Td等测试条件功能。25°C设计用于52ns/208ns，以及456μJ（开启），411μJ（关断）开关能量，该器件也可用作TO-3PF供应商器件包。此外，该系列是600-650V IGBT，该设备的最大功率为62.5W，该设备具有62.5W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-3P-3全包装，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为226nC，集流器脉冲Icm为160A，集流器Ic Max为80A，25C下的连续集流器电流为80A，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为1.8V。
带有电路图的STGFW40H65FB，包括2 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在650 V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C的连续集电极电流，如80 a，集电极Ic Max设计为在80 a下工作，以及160A集流器脉冲Icm，该器件也可以用作210nC栅极电荷。此外，栅极-发射极漏电流为250nA，该器件采用沟槽式场阻IGBT类型，该器件具有输入型标准，安装类型为通孔，安装类型是通孔，封装盒为TO-3P-3全封装，封装为管，Pd功耗为62.5W，最大功率为62.5W；系列为600-650V IGBT，供应商设备包为TO-3PF-3，开关能量为498μJ（开）、363μJ，25°C时的Td为40ns/142ns，测试条件为400V、40A、5欧姆、15V，单位重量为0.245577盎司，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V、40A，集电极-发射极击穿最大值为650V。
STGFW35HF60W是IGBT 600V 36A 88W TO3PF，包括管式封装，它们设计为与to-3PF供应商设备包一起运行，数据表说明中显示了用于to-3P-3全封装的封装盒，该封装盒提供安装类型功能，如通孔，输入类型设计为标准工作，以及88W最大功率，该设备也可作为600V电压收集器-发射器击穿最大值使用。此外，测试条件为400V、20A、10欧姆、15V，该设备以36A电流收集器Ic最大值提供，该设备在25°C时的Td为30ns/175ns，开关能量为290μJ（开）、185μJ（关），最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、20A，电流收集器脉冲Icm为150A，栅极电荷为140nC。
