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STGW30V60F

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 28.03002 28.03002
10+ 25.20529 252.05292
100+ 20.65095 2065.09560
500+ 17.57996 8789.98350
1000+ 17.48399 17483.99800
  • 库存: 713
  • 单价: ¥25.49501
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥28.03
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功率 260 W
  • 供应商设备包装 TO-247
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 30A
  • 试验条件 400V, 30A, 10欧姆, 15V
  • 门电荷 163 nC
  • 开关能量 383J (on), 233J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 45ns/189ns

STGW30V60F 产品详情

IGBT Discretes,STMicroelectronics

特色

  • 最高结温:TJ=175°C
  • 无尾关闭
  • 五、行政长官(sat)=1.85 V(典型值)@IC=30年
  • 紧密参数分布
  • 安全并联
  • 低热阻
STGW30V60F所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW30V60F 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW30V60F价格参考¥25.495008,你可以下载 STGW30V60F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW30V60F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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