9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB3NB60FDT4,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB3NB60FDT4参考价格为36.601334美元。STMicroelectronics STGB3NB60FDT4封装/规格:IGBT 600V 6A 68W D2PAK。您可以下载STGB3NB60FDT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB35N35LZT4是IGBT 345V 40A 176W D2PAK,包括PowerMESH?系列,它们设计用于Digi-ReelR包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.070548盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装盒设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB以及逻辑输入类型,该设备也可作为表面安装安装类型。此外,供应商设备包为D2PAK,该设备的最大功率为176W,该设备具有40A的电流收集器Ic Max,电压收集器-发射器击穿最大值为345V,电流收集器脉冲Icm为80A,最大Vge Ic上的Vce为1.7V@4.5V,15A,栅极电荷为49nC,25°C下的Td为1.1μs/26.5μs,测试条件为300V、15A、5V,Pd功耗为176W,集电极-发射极电压VCEO Max为345V,集电极/发射极饱和电压为1.15V,25℃时的连续集电极电流为40A,栅极-发射极漏电流为625uA,最大栅极-发射极电压为16V。
STGB30V60F是V S型沟槽栅极现场停止IGBT,包括600V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以2.3V@15V、30A Vce运行,测试条件如数据表注释所示,适用于400V、30A、10 Ohm、15V,可提供45ns/189ns等25°C的Td开-关特性,开关能量设计为383μJ(开)、233μJ(关),除了D2PAK供应商器件封装外,该器件还可以用作260W最大功率。此外,该封装为Digi-ReelR替代封装,该器件提供TO-263-3、D2PAK(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒,该器件具有安装型表面安装,输入型为标准型,IGBT类型为沟槽场阻,栅极电荷为163nC,集流器脉冲Icm为120A,集流器Ic Max为60A。
STGB35N35LZ-1是IGBT 345V 40A 176W I2PAK,包括40A集流器Ic Max,它们设计用于80A集流脉冲Icm,栅极电荷如数据表注释所示,用于49nC,提供逻辑等输入类型功能,安装类型设计用于通孔,以及to-262-3长引线、I2PAK、to-262AA封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,功率最大值为176W,该设备采用PowerMESH?系列,该器件具有供应商器件包的I2PAK,25°C时的Td为1.1μs/26.5μs,测试条件为300V、15A、5V,最大Vge Ic为1.7V@4.5V、15A,集电极-发射极击穿最大值为345V。