9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB20NB32LZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB20NB32LZ参考价格27.778美元。STMicroelectronics STGB20NB32LZ封装/规格：IGBT 375V 40A 150W I2PAK。您可以下载STGB20NB32LZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB20N40LZ，带引脚细节，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及逻辑输入型，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263（D2Pak），该设备以单配置提供，该设备最大功率为150W，集电器Ic最大值为25A，集电器-发射极击穿最大值为390V，集电器脉冲Icm为40A，最大Vge Ic的Vce为1.6V@4V，6A，栅极电荷为24nC，25°C时的Td为700ns/4.3μs，测试条件为300V、10A、1kOhm、5V，Pd功耗为150W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为425 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，栅极-发射极漏电流为625 uA，最大栅极-发射极电压为16 V，并且连续集电极电流Ic Max为25A。
STGB20H60DF是IGBT 600V 40A 167W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、20A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、20A、10欧姆、15V，提供25°C的Td开/关特性，如42.5ns/177ns，开关能量设计为在209μJ（开）、261μJ（关）下工作，以及D2PAK供应商设备包，该设备也可以用作600-650V IGBT系列。此外，反向恢复时间trr为90ns，该器件提供167W最大功率，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为表面安装，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为115nC，集流器脉冲Icm为80A，集流器Ic Max为40A。
STGB2012-151PT带有ST制造的电路图。STGB2012-151 PT采用O805封装，是IC芯片的一部分。
