9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB14NC60KT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB14NC60KT4参考价格9.986美元。STMicroelectronics STGB14NC60KT4封装/规格：IGBT 600V 25A 80W D2PAK。您可以下载STGB14NC60KT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB14NC60KDT4是IGBT 600V 25A 80W D2PAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入型，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的最大功率为80W，反向恢复时间trr为37ns，集电器Ic最大值为25A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为50A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，7A，开关能量为82μJ（开），155μJ（关），栅极电荷为34.4nC，25°C时的Td为22.5ns/116ns，测试条件为390V、7A、10欧姆、15V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，栅极-发射极漏电流为2 A，并且最大栅极-发射极电压为+/-20V，并且连续集电极电流Ic-Max为25A。
STGB10NC60KT4是IGBT 600V 20A 65W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.5V@15V、5A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于390V、5A、10欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如17ns/72ns，开关能量设计为在55μJ（开）、85μJ（关）下工作，以及D2PAK供应商设备包，该设备也可以用作PowerMESH？系列此外，最大功率为65W，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为19nC，集电器脉冲Icm为30A，集电器Ic最大值为20A。
STGB12NB60KDT4是IGBT 600V 30A 125W D2PAK，包括30A集电器Ic Max，它们设计用于60A集电器脉冲Icm，数据表注释中显示了用于54nC的栅极电荷，该54nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，最大功率为125W，设备提供80ns反向恢复时间trr，设备具有PowerMESH？供应商设备包为D2PAK，开关能量为258μJ（关断），25°C时的Td为25ns/96ns，测试条件为480V、12A、10欧姆、15V，最大Vge Ic为2.8V@15V、12A，集电器-发射极击穿最大值为600V。
