9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGP30NC60K，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGP30NC60K参考价格$4.30622。STMicroelectronics STGP30NC60K封装/规格：IGBT 600V 60A 185W TO220AB。您可以下载STGP30NC60K英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGP30H65F带有引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-220-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220，该设备为单配置，该设备最大功率为260W，集电器Ic最大值为60A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽式场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，30A，开关能量为350μJ（开），400μJ（关），栅极电荷为105nC，25°C时的Td为50ns/160ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，Pd功耗为260 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为2.4 V，25℃时的连续集电极电流为60A，栅极发射极漏电流为250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为30A。
带有用户指南的STGP30M65DF2，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、30A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、30A、10 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如31.6ns/15ns，开关能量设计为在300μJ（开）、960μJ（关）下工作，以及TO-220供应商设备包，该设备也可以用作140ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为258W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为80nC，集电器脉冲Icm为120A，集电器Ic最大值为60A。
STGP30H60DFB是TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT，HB，包括60A集流器Ic Max，它们设计为与120A集流脉冲Icm一起工作，栅极电荷如数据表注释所示，用于149nC，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，包装为管式，设备提供260W最大功率，设备具有53ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-220，开关能量为383μJ（开），293μJ（关），25°C时的Td为37ns/146ns，测试条件为400V，30A，10 Ohm，15V，Vce on Max Vge Ic为2V@15V，30A，电压收集器-发射极击穿最大值为600V。
