9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGW40NC60V，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGW40NC60V参考价格$7.87000。STMicroelectronics STGW40NC60V封装/规格：IGBT 600V 80A 260W TO247。您可以下载STGW40NC60V英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGW40M120DF3是IGBT 1200V 80A 468W TO-247，包括900-1300V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于TO-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为468W，反向恢复时间trr为355ns，集电器Ic最大值为80A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为1.5mJ（开）、2.25mJ（关），栅极电荷为125nC，25°C时的Td为35ns/140ns，测试条件为600V、40A、10 Ohm、15V，Pd功耗为468W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，且集电极-发射极饱和电压为1.85V，且25℃时的连续集电极电流为80A，且栅极-发射极漏电流为250nA，且最大栅极-发射极电压为20V，且持续集电极电流Ic-Max为40A。
STGW40N120KD是IGBT 1200V 80A 240W TO247，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.85V@15V，30A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供960V、30A、10 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，5.7mJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-247-3供应商装置包。此外，该系列是PowerMESH？，该设备的反向恢复时间为84ns，最大功率为240W，Pd功耗为240W，最大栅极-发射极电压为+/-25V，输入类型为标准，栅极-发射极漏电流为100nA，栅极电荷为126nC，集电极脉冲Icm为120A，集电极Ic最大值为80A，25 C时的连续集电极电流为80A；集电极-发射极最大电压VCEO最大值为1200V，集电极-发射器饱和电压为2.8V。
STGW40NC60KD是IGBT 600V 70A 250W TO247，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为以单配置运行，连续集电极电流Ic Max如数据表注释所示，用于70 a，提供电流集电极Ic Max功能，如70A，集电极脉冲Icm设计为在220A工作，以及135nC栅极充电，该设备也可以用作标准输入类型。此外，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为通孔，安装方式为通孔。封装外壳为TO-247-3，封装为管，Pd功耗为250W，最大功率为250W，反向恢复时间trr为45ns，系列为PowerMESH？，供应商设备包为TO-247长引线，开关能量为595μJ（开）、716μJ，25°C时的Td为46ns/164ns，测试条件为480V、30A、10 Ohm、15V，单位重量为1.340411 oz，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
