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使用我们的专有XPT开发™ 薄晶圆技术和最先进的第四代（GenX4™) IXXK160N65C4 IGBT工艺，这些器件具有降低的热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度。此外，它们在短路条件下表现出卓越的耐用性——10µs短路安全工作区（SCSOA）。这些IGBT具有方形反向偏置安全工作区，击穿电压敢达650V，是无缓冲硬开关应用的理想选择。其他质量包括正的集电极到发射极电压温度系数，这使得设计者能够并行使用多个器件以满足高电流要求和低栅极电荷，这有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。
优势：
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXXN200N60B3H1 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥257.6879 |
| IXXN200N60C3H1 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥316.32387 |
| IXXN200N60B3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: SOT-227B | ¥260.88926 |
| IXXH80N65B4D1 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 180 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: TO-247 (IXXH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥81.12048 |
 | IXXH100N60C3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 190 A 最大功率: 830 W 供应商设备包装: TO-247 (IXXH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥125.95403 |
 | IXXN340N65B4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 520 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥464.08158 |
 | IXXH110N65C4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 234 A 最大功率: 880 W 供应商设备包装: TO-247 (IXXH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥75.39859 |
 | IXXH80N65B4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: TO-247 (IXXH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥62.72351 |
 | IXXX160N65B4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 310 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥133.70393 |
 | IXXX200N65B4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 370 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥158.40222 |
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