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NVMFS5A140PLZT3G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、140A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥9.95175
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.95
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 20A(Ta)、140A(Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 136 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@1毫安
  • 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.2毫欧姆 @ 50A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7400 pF @ 20 V

NVMFS5A140PLZT3G 产品详情

汽车功率MOSFET采用5 x 6 mm扁平引线封装,设计紧凑高效,包括高热性能。可湿侧选项可用于增强光学检查。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP,适用于汽车应用。

特色

  • 占地面积小(5 x 6 mm)
  • 紧凑型设计
  • 低RDS(打开)
  • 最小化传导损耗
  • NVMFS5A140PLZWF:可湿侧选项
  • 增强型光学检查
  • AEC-Q101合格,PPAP能力
  • 适用于汽车应用
  • RoHS合规性
  • 环境考虑因素

应用

  • 汽车反向电池保护
  • 汽车负载开关
  • 汽车(头灯、车身控制)


(图片:引出线)

NVMFS5A140PLZT3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVMFS5A140PLZT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVMFS5A140PLZT3G价格参考¥9.951745,你可以下载 NVMFS5A140PLZT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVMFS5A140PLZT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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