特色
- 低RDS（打开）
- 最小化传导损耗
- 低QG和栅极电容
- 最小化开关损耗
- 行业标准小型封装5x6mm
- 紧凑的设计和标准的占地面积，便于直接插入
- NVMFS5C646NLWF−可湿侧选项
- 增强型光学检查
- AEC−Q101合格和PPAP能力
- 汽车设计
- 符合RoHS
应用
- 反向器蓄电池保护
- 开关电源
- 电源开关（高端驱动器、低端驱动器、H桥等）
- 电磁阀驱动器–ABS，燃油喷射
- 电机控制–EPS、刮水器、风扇、座椅等。
- 负载开关–ECU、底盘、车身
NVMFS5C645NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A (Ta), 92A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥36.72150
-
数量:
- +
- 总计: ¥36.72
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1500 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 4.6毫欧姆 @ 50A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20.4 nC@10 V
- 最大功耗 3.7W (Ta), 79W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A (Ta), 92A (Tc)
NVMFS5C645NT1G 产品详情
采用5x6mm扁平引线封装的汽车功率MOSFET，设计紧凑高效，具有高热性能。可湿侧选项可用于增强光学检查。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NVME-31USBA | 微连接公司 (Micro Connectors ) | M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP | ¥267.91487 |
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 | NVMFD5C466NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、52A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.29892 |
 | NVMFD5C672NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、49A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.92277 |
 | NVMFD5C478NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta）、29A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | NVMFD5C462NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.29892 |
 | NVMFD5483NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.94014 |
 | NVMFS5834NLWFT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.11157 |
 | NVM100015 | 东电化 - Lambda (TDK) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 180瓦 效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥1,247.22738 |
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NVMFS5C645NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVMFS5C645NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMFS5C645NT1G价格参考￥36.721503，你可以下载 NVMFS5C645NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMFS5C645NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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