9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N4392UB,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4392UB参考价格30.42000美元。微芯片技术2N4392UB封装/规格:N信道JFET。您可以下载2N4392UB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4385GP-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于切割胶带(CT)替代包装,提供单位重量功能,如0.012346盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-204AC、DO-15、,轴向包装箱,该装置也可作为通孔安装型。此外,供应商设备包为DO-204AC(DO-15),该设备为单配置,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@600V,正向电压Vf Max If为1V@1A,直流反向电压Vr Max为600V,平均整流电流Io为1A,反向恢复时间trr为2μs,电容Vr F为15pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-65°C ~ 175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1A,最大浪涌电流为50A,恢复时间为2000ns。
1N4385GPHE3/54是二极管GEN PURP 600V 1A DO204AC,包括1V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-204AC(DO-15)的供应商设备包,该DO-204AAC提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),除了2μs反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为DO-204AC,DO-15,轴向,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@600V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为15pF@4V,1MHz。
1N4384GPHE3/73是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC,包括15pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@400V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,它的工作温度范围为-65°C~175°C,该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外,包装为磁带盒(TB),该设备以2μs反向恢复时间trr提供,该设备具有串联的SUPERECTIERR,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),供应商设备包为DO-204AC(DO-15),电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1V@1A。
1N4384GPHE3/54是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC,包括通孔安装型,它们设计用于磁带和卷轴(TR)封装,系列如数据表注释所示,用于SUPERECTIFIERR,提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),二极管型设计用于标准,以及DO-204AC,DO-15,轴向封装外壳,该设备也可作为DO-204AC(DO-15)供应商设备包使用,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该设备在400V电流反向泄漏Vr时为5μA,该设备具有400V电压直流反向Vr Max,反向恢复时间trr为2μs,电压正向Vf Max If为1V@1A,电流平均整流Io为1A。