Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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N CHANNEL JFET | ¥681.62932 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68,162.93190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL JFET | ¥681.62932 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68,162.93190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: 3-UB (3.09x2.45) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥681.62932 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68,162.93190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL JFET | ¥681.62932 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68,162.93190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL JFET | ¥681.62932 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68,162.93190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL JFET | ¥143.62671 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,362.67070 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL JFET | ¥143.62671 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,362.67070 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 | ¥146.66873 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,666.87250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 50 V 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-72 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥196.97067 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,697.06660 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL JFET | ¥220.32902 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,032.90180 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL JFET | ¥220.32902 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,032.90180 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL JFET | ¥220.32902 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,032.90180 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥264.11235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,411.23490 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 75 Ohms 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥281.27802 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,127.80220 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥281.60395 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,160.39520 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-72 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥291.05594 | 40 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,105.59370 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥322.77984 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,277.98390 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥340.59737 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,059.73730 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: 3-UB (3.09x2.45) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥348.85428 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,885.42790 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 80 Ohms 供应商设备包装: 3-UB (3.09x2.45) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥348.85428 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,885.42790 | 添加到BOM 立即询价 |