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MQ2N5116
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MQ2N5116

  • 描述:场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 175欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 100

数量 单价 合计
1+ 444.61270 444.61270
200+ 172.06068 34412.13620
500+ 166.01774 83008.87400
1000+ 163.02255 163022.55600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥444.61270
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥44,461.27
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 击穿电压(V(BR)GSS) 30伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 最大正向电流 (Id) -
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 TO-206AA、TO-18-3金属罐
  • 供应商设备包装 TO-18
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5 mA @ 15 V
  • 工作温度 -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 最大功率 500 mW
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 27皮法 @ 15V
  • 电阻-RDS(On) 175欧姆
  • 关闭电压 (VGS off) @ Id 1 V@1 mA

MQ2N5116 产品详情

MQ2N5116所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),MQ2N5116 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MQ2N5116价格参考¥444.612703,你可以下载 MQ2N5116中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MQ2N5116规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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