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1N483BTR是DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@60V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max如果为1V@100mA，则该设备提供80V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有200mA的平均整流电流Io，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N485是DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7，包括1V@100MA正向电压Vf Max。如果它们设计为在180V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-7的供应商设备包，该DO-7提供速度特性，如小信号=，包装设计为散装工作，以及DO-204AA、DO-7轴向包装箱，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有25nA@180V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为100mA（DC）。
1N484B是DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35，包括200MA电流平均整流Io，它们设计为在25nA@125V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~200°C，以及DO-204AH、DO-35、，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，速度为小信号=，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有125V的直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1V@100mA。
1N483BUR，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于标准二极管型，速度如数据表注释所示，用于小信号=，提供DO-213AA等封装外壳功能，封装设计用于散装，工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件还可以用作50mA电流平均整流Io。此外，电流反向泄漏Vr为25nA@225V，该器件提供225V电压DC反向Vr Max，该器件具有1V@100mA电压正向Vf Max If。
