9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MUBW75-17T8,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MUBW75-17T8参考价格为203.03800美元。IXYS MUBW75-17T8封装/规格:IGBT模块1700V 113A 450W E3。您可以下载MUBW75-17T8英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUBW75-06A8是模块IGBT CBI E3,包括MUBW75系列,它们设计用于功率半导体模块产品,类型如数据表注释所示,用于转换器/制动器/逆变器(CBI)IGBT模块,提供散装等封装功能,安装方式设计用于螺旋式,其工作温度范围为-40 C至+125 C,该设备也可以用作E3封装盒。此外,安装类型为底盘安装,该设备在E3供应商设备包中提供,该设备具有三相桥式整流器输入,配置为带制动器的三相逆变器,功率最大值为320W,电流收集器Ic最大值为100A,电压收集器发射器击穿最大值为600V,电流收集器截止最大值为1.4mA,IGBT类型为NPT,最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V,75A,输入电容Cies Vce为4.2nF@25V,NTC热敏电阻为Yes,Vf正向电压为1.2V,Vr反向电压为1.6kV。
MUBW75-12T8是模块IGBT CBI E3,包括1.6 kV Vr反向电压,它们设计用于1200V集电极-发射极击穿最大值,Vce on Max Vge Ic如数据表注释所示,用于2.15V@15V,75A,提供转换器/制动器/逆变器(CBI)IGBT模块等类型功能,供应商设备包设计用于E3,以及MUBW75系列,该器件也可以用作功率半导体模块产品。此外,功率最大值为355W,该器件采用散装封装,该器件具有E3封装外壳,NTC热敏电阻为是,安装方式为螺钉式,安装类型为底盘式,输入电容Cies Vce为5.35nF@25V,输入为三相桥式整流器,IGBT类型为沟槽式,集流器Ic最大值为110A,集流器截止电流最大值为4mA,配置为带制动器的三相逆变器。
MUBW6-06A6是模块IGBT CBI E1,包括带制动器配置的三相逆变器,它们设计为在10μa集流器最大截止电流下工作,集流器Ic最大值如数据表注释所示,用于7A,提供IGBT类型的功能,如NPT,输入设计为在三相桥式整流器中工作,以及0.34nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为“是”,该器件采用E1封装外壳,该器件的最大功率为38W,供应商器件封装为E1,最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V,4A,集电极-发射极击穿最大值为600V。