9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT75TDU120PG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT75TDU120PG参考价格221.14800美元。微芯片技术APTGT75TDU120PG封装/规格：IGBT模块1200V 100A 350W SP6P。您可以下载APTGT75TDU120PG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT75TA120PG是POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6，包括SP6封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6-P，提供标准、配置等输入功能，设计为三相工作，以及350W最大功率，该器件还可以用作100A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA集流管截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGT75TA60PG是IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在1.9V@15V、75A Vce on Max Vge Ic下工作。数据表说明中显示了用于SP6-P的供应商设备包，提供250W等最大功率功能，包壳设计用于SP6，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.62nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为100A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三相。
APTGT75SK60T1G是IGBT 600V 100A 250W SP1，包括单一配置，设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于100A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及4.62nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件的最大功率为250W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
