9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N4118A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4118A参考价格$13.9763。Vishay Siliconix 2N4118A封装/规格:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF。您可以下载2N4118A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2N4117A是MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF,包括散装封装,它们设计用于通孔安装方式,封装盒如数据表注释所示,用于TO-206A F、TO-72-4金属罐,提供Si等技术特性,安装类型设计用于通孔中,以及TO-206AF(TO-72)供应商设备封装,该设备也可以用作单一配置。此外,FET类型为N沟道,该器件的最大功率为300mW,该器件具有40V的电压击穿V BRGSS,电流漏Idss Vds Vgs=0为30μa@10V,电压截止Vgs关断Id为600mV@1nA,输入电容Ciss Vds为3pF@10V、Pd功耗为300mW、Id连续漏电流为1 nA,Vds漏极-源极击穿电压为10V,晶体管极性为N沟道,正向跨导Min为70uS,Vgs栅极-源极耐压为-40V,栅极-源截止电压为-1.8V。
2N4117A-E3是MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF,包括600mV@1nA电压切断VGS关断Id,它们设计用于40V电压击穿V BRGSS,VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中,用于-40 V,提供晶体管极性特性,如N沟道,供应商设备包设计用于TO-206A F(TO-72),除了300mW最大功率外,该设备还可以用作300mW Pd功耗。此外,封装为散装,该器件采用TO-206AF、TO-72-4金属罐封装盒,该器件具有安装式SMD/SMT,安装类型为通孔,输入电容Ciss Vds为3pF@10V,FET类型为N沟道,电流漏Idss Vds Vgs=0为30μa@10V。
带电路图的2N4117A-2,包括单配置,它们设计为在30μa@10V电流漏极Idss Vds Vgs=0的情况下工作,FET类型如数据表注释所示,用于N通道,提供输入电容Ciss Vds特性,如3pF@10V,安装类型设计为在通孔中工作,以及SMD/SMT安装类型,该装置也可用作TO-206AF、TO-72-4金属罐包装盒。此外,封装为散装,该器件以300mW最大功率提供,该器件具有供应商器件封装的TO-206AF(TO-72),晶体管极性为N沟道,Vgs栅极-源极击穿电压为-40 V,电压击穿V BRGSS为40V,电压截止Vgs关断Id为600mV@1nA。