9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N4119A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4119A参考价格为16.172155美元。Vishay Siliconix 2N4119A封装/规格：MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF。您可以下载2N4119A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N4118A是MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF，包括散装封装，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-206A F、TO-72-4金属罐，提供Si等技术特性，安装类型设计用于通孔中，以及TO-206AF（TO-72）供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为300mW，该器件具有40V的电压击穿V BRGSS，电流漏Idss Vds Vgs=0为80μa@10V，电压截止Vgs关闭Id为1V@1nA，输入电容Ciss Vds为3pF@10V、Pd功耗为300mW、Id连续漏电流为1 nA，Vds漏极-源极击穿电压为10V，晶体管极性为N沟道，正向跨导Min为80uS，Vgs栅极-源极耐压为-40V，栅极-源截止电压为-3V。
2N4118A-2带用户指南，包括1V@1nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于40V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-40 V，提供晶体管极性特性，如N沟道，供应商设备包设计用于to-206AF（to-72），以及300mW最大功率，该器件也可以用作300mW Pd功率耗散。此外，封装为散装，该器件采用TO-206AF、TO-72-4金属罐封装盒，该器件具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，输入电容Ciss Vds为3pF@10V，栅源截止电压为-3V，正向跨导最小值为0.00008S，FET类型为N沟道，电流漏极Idss-Vds-Vgs=0为80μA@10V，配置为单一。
2N4118A-E3是MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF，包括80μA@10V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计为与N沟道FET类型一起工作，输入电容Ciss Vds如数据表注释所示，用于3pF@10V，提供安装类型的功能，如通孔，封装盒设计为在TO-206A F、TO-72-4金属罐以及散装包装中工作，该设备也可以用作300mW最大功率。此外，供应商设备包为TO-206AF（TO-72），该设备提供40V电压击穿V BRGSS，该设备具有1V@1nA的电压切断VGS关闭Id。
