9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT200DH120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT200DH120G参考价格为226.26800美元。Microchip Technology APTGT200DH120G封装/规格：IGBT模块1200V 280A 890W SP6。您可以下载APTGT200DH120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT200DA170D3G带有引脚细节，包括D-3模块封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了D3中使用的供应商设备封装，该D3提供了标准等输入功能，配置设计为单路工作，以及1250W最大功率，该设备也可以用作400A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1700V，该设备提供5mA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，200A，输入电容Cies Vce为17nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT200DA60T3AG带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.9V@15V、200A Vce运行，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供750W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为12.3nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为290A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGT200DA60TG带电路图，包括单组态，设计用于250μa集电器最大截止电流，数据表注释中显示了290A中使用的集电器Ic最大值，其提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及12.3nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件的最大功率为625W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，200A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT200DA120G是IGBT 1200V 280A 890W SP6，包括沟槽式场阻IGBT类型，设计用于标准输入，SP6中使用的数据表说明中显示了封装情况，提供SP6等供应商设备封装功能，配置设计用于单台，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，功率最大值为890W，该器件提供350μA集流器截止最大值，该器件的集流器Ic最大值为280A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，200A，输入电容Cies Vce为14nF@25V，集流器-发射极击穿最大值为1200V。
