9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N4338-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4338-E3参考价格$6.922699。Vishay Siliconix 2N4338-E3封装/规格：MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA。您可以下载2N4338-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N4338是MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA，包括散装封装，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-206A a、TO-18-3金属罐，提供Si等技术特性，安装类型设计用于通孔中，以及TO-206A（TO-18）供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为300mW，该器件具有50V的电压击穿V BRGSS，电流漏Idss Vds Vgs=0为200μa@15V，电压截止Vgs关断Id为300mV@100nA，输入电容Ciss Vds为7pF@15V、Pd功耗为300mW、Id连续漏电流为100pA，Vds漏极-源极击穿电压为15V，Rds漏极上-源极电阻为2.5k欧姆，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为600uS，Vgs栅极-源极耐压为-50V，栅极-源截止电压为-1V。
2N4338-2带用户指南，包括300mV@100nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于50V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-50 V，提供晶体管极性特性，如N沟道，供应商设备包设计用于to-206AA（to-18），以及300mW最大功率，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为TO-206AA、TO-18-3金属罐，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型通孔，输入电容Ciss Vds为7pF@15V，FET类型为N沟道，电流漏Idss Vds Vgs=0为200μa@15V。
2N4314，电路图由MOT制造。2N4314采用CAN3封装，是IC芯片的一部分。
