9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL475SK120D3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL475SK120D3G参考价格为226.73400美元。微芯片技术APTGL475SK120D3G封装/规格：IGBT模块1200V 610A 2080W D3。您可以下载APTGL475SK120D3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGL10X120T3G，带有引脚细节，包括SP3封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计用于三相逆变器，以及220W最大功率，该设备也可用作65A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，35A，输入电容Cies Vce为1.95nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGL475A120D3G是功率模块MOSFET 4PHASE LEG D3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.2V@15V、400A Vce运行，数据表中显示了用于D3的供应商设备包，提供功率最大值功能，如2080W，包壳设计用于D-3模块，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为24.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为610A，集电器截止值最大值为5mA，配置为半桥。
APTGL475DA120D3G带有电路图，包括单配置，它们设计为在5mA电流收集器最大截止电流下工作，电流收集器Ic最大值如610A中使用的数据表注释所示，该610A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为在标准模式下工作，以及24.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D-3模块封装盒，该器件的最大功率为2080W，供应商器件封装为D3，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，400A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
