这些器件是使用先进的PowerMESH？技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。这些器件非常适合谐振或软开关应用。
特色
- 低压降（V行政长官（sat）)
- 关断损失包括尾电流
- 损失包括二极管恢复能量
- 高达70 kHz的高频操作
- 极软超快恢复反并联二极管
STGB7NC60HDT4
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 17.16567 | 17.16567 |
| 10+ | 15.43462 | 154.34620 |
| 100+ | 12.40708 | 1240.70880 |
| 500+ | 10.19351 | 5096.75650 |
| 1000+ | 9.61654 | 9616.54300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥15.64466
-
数量:
- +
- 总计: ¥17.17
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 门电荷 35 nC
- 供应商设备包装 D2PAK
- 最大集电极电流 (Ic) 25 A
- 反向恢复时长 (trr) 37 ns
- 最大整流电流 (Icm) 50 A
- 最大功率 80 W
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 7A
- 开关能量 95J（开），115J（关闭）
- 开通/关断延时 (25°C) 18.5ns/72ns
- 试验条件 390V, 7A, 10欧姆, 15V
STGB7NC60HDT4 产品详情
STGB7NC60HDT4 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| STGIK10M120T | DISCRETE | ¥0.00 |
STGB7NC60HDT4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGB7NC60HDT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGB7NC60HDT4价格参考￥15.644664，你可以下载 STGB7NC60HDT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGB7NC60HDT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
