起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 16.29652 | 16.29652 |
| 10+ | 14.63065 | 146.30658 |
| 100+ | 11.76102 | 1176.10210 |
| 500+ | 9.66260 | 4831.30400 |
| 1000+ | 9.60263 | 9602.63700 |
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英飞凌的一系列IGBT晶体管，集电极-发射极电压额定值为600和650V，采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。
•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IKB20N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥38.69579 |
| IKB10N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥18.53867 |
| IKB20N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥28.18634 |
| IKB15N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 功率(Pd)：105W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：30A | ¥25.52745 |
| IKB40N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥41.99575 |
| IKB20N60H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥23.2469 |
| IKB06N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥17.26702 |
| IKB03N120H2 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥22.05933 |
| IKB40N65EF5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥41.99575 |
| IKB30N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥35.46939 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
