该器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。该装置是M系列IGBT的一部分，代表逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正V行政长官（sat）温度系数和紧密的参数分布使得并联运行更加安全。
特色
- 6μs短路耐受时间
- 五、行政长官（sat）=1.55 V（典型值）@IC=10年
- 紧密的参数分布
- 更安全的并联
- 正V行政长官（sat）温度系数
- 低热阻
- 软且快速恢复的反并联二极管
- 最高结温：TJ=175°C
STGP10M65DF2
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 115瓦 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.52636 | 6.52636 |
| 10+ | 5.43338 | 54.33385 |
| 30+ | 4.88689 | 146.60679 |
| 100+ | 4.34040 | 434.04020 |
| 500+ | 4.01460 | 2007.30450 |
| 1000+ | 3.84645 | 3846.45800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.52637
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.53
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 最大整流电流 (Icm) 40 A
- 包装/外壳 至220-3
- 最大集电极电流 (Ic) 20A
- 供应商设备包装 TO-220
- 最大功率 115瓦
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 10A
- 门电荷 28 nC
- 开关能量 120J (on), 270J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 19ns/91ns
- 试验条件 400V, 10A, 22欧姆, 15V
- 反向恢复时长 (trr) 96纳秒
STGP10M65DF2 产品详情
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STGP10M65DF2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP10M65DF2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP10M65DF2价格参考￥6.526367，你可以下载 STGP10M65DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP10M65DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
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