这些器件是使用先进的PowerMESH？技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。
特色
- 低压降（V行政长官（sat）)
- 低C皇家经济学会/C类信息系统比率（无交叉传导敏感性）
- 短路耐受时间10μs
- IGBT与超快续流二极管共同封装
STGF19NC60KD
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 32瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.01229 | 12.01229 |
| 10+ | 10.56199 | 105.61995 |
| 30+ | 9.64767 | 289.43019 |
| 100+ | 8.72284 | 872.28420 |
| 500+ | 8.30246 | 4151.23200 |
| 1000+ | 8.12380 | 8123.80300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.01230
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.01
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 最大集电极电流 (Ic) 16 A
- 最大整流电流 (Icm) 75 A
- 供应商设备包装 TO-220FP
- 反向恢复时长 (trr) 31 ns
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.75V @ 15V, 12A
- 开关能量 165J (on), 255J (off)
- 门电荷 55 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 30ns/105ns
- 试验条件 480V, 12A, 10欧姆, 15V
- 最大功率 32瓦
STGF19NC60KD 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| STGIK10M120T | DISCRETE | ¥0.00 |
STGF19NC60KD所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGF19NC60KD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGF19NC60KD价格参考￥12.012299，你可以下载 STGF19NC60KD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGF19NC60KD规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
