9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT300DA170D3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT300DA170D3G参考价格为243.84200美元。Microchip Technology APTGT300DA170D3G封装/规格：IGBT模块1700V 530A 1470W D3。您可以下载APTGT300DA170D3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT300A60TG，带引脚细节，包括SP4封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥以及935W功率最大值，该设备也可作为430A电流收集器Ic最大值使用。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供350μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，300A，输入电容Cies Vce为18.4nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT300DA120D3G是IGBT 1200V 440A 1250W D3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、300A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表中显示了用于D3的供应商设备包，提供功率最大值功能，如1250W，包壳设计用于D-3模块，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为20nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为440A，集电器截止值最大值为8mA，配置为单一。
APTGT300DA120G是IGBT PHASE BOOST CHOP 1200V SP6，包括单一配置，它们设计用于500μa电流收集器最大截止电流，电流收集器Ic最大值如420A中使用的数据表注释所示，该420A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及21nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装，该器件的最大功率为1380W，供应商器件封装为SP6，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，300A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
