9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB3NB60KDT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB3NB60KDT4参考价格为208.864美元。STMicroelectronics STGB3NB60KDT4封装/规格：IGBT 600V 10A 50W D2PAK。您可以下载STGB3NB60KDT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGB35N35LZT4是IGBT 345V 40A 176W D2PAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.070548盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及逻辑输入类型，该设备也可作为表面安装安装类型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备的最大功率为176W，该设备具有40A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为345V，电流收集器脉冲Icm为80A，最大Vge Ic上的Vce为1.7V@4.5V，15A，栅极电荷为49nC，25°C下的Td为1.1μs/26.5μs，测试条件为300V、15A、5V，Pd功耗为176W，集电极-发射极电压VCEO Max为345V，集电极/发射极饱和电压为1.15V，25℃时的连续集电极电流为40A，栅极-发射极漏电流为625uA，最大栅极-发射极电压为16V。
STGB3NB60FDT4是IGBT 600V 6A 68W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、3A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于480V、3A、10欧姆、15V，提供25°C的Td通断特性，如12.5ns/105ns，开关能量设计为在125μJ（关断）下工作，以及D2PAK供应商设备包，该设备也可以用作PowerMESH？系列此外，反向恢复时间trr为45ns，该设备提供68W最大功率，该设备具有包装切割带（CT），包装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为16nC，集电脉冲Icm为24A，集电器Ic最大值为6A。
STGB35N35LZ-1是IGBT 345V 40A 176W I2PAK，包括40A集流器Ic Max，它们设计用于80A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于49nC，提供逻辑等输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-262-3长引线、I2PAK、to-262AA封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，功率最大值为176W，该设备采用PowerMESH？系列，该器件具有供应商器件包的I2PAK，25°C时的Td为1.1μs/26.5μs，测试条件为300V、15A、5V，最大Vge Ic为1.7V@4.5V、15A，集电极-发射极击穿最大值为345V。
