9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGP10NB37LZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGP10NB37LZ参考价格为18.492美元。STMicroelectronics STGP10NB37LZ封装/规格：IGBT 440V 20A 125W TO220。您可以下载STGP10NB37LZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGP10H60DF带有引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-220-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220，该设备为单配置，该设备的最大功率为115W，反向恢复时间trr为107ns，集电器Ic最大值为20A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为40A，最大Vge Ic上的Vce为1.95V@15V，10A，开关能量为83μJ（开），140μJ（关），栅极电荷为57nC，25°C时的Td为19.5ns/103ns，测试条件为400V，10A，10欧姆，15V，Pd功耗为115 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极-发射极饱和电压为1.5V，25℃时的连续集电极电流为20A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为10A。
STGP10M65DF2是IGBT 650V 10A TO-220AB，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、10A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、10A、22欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如19ns/91ns，开关能量设计为在120μJ（开）、270μJ（关）下工作，以及TO-220供应商设备包，该设备也可以用作96ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为115W，器件采用管式封装，器件具有TO-220-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为28nC，集电器脉冲Icm为40A，集电器Ic最大值为20A。
STGP100N30是IGBT 330V 90A 250W TO220，包括90A集流器Ic Max，它们设计用于标准输入类型，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及250W最大功率，该器件还可以用作STripFET？系列此外，供应商设备包为TO-220，该设备在25°C时提供-/134ns Td，该设备具有180V、25A、10 Ohm、15V的测试条件，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、50A，集电极-发射极击穿最大值为330V。
