9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB7NC60HT4,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB7NC60HT4参考价格为55.55264美元。STMicroelectronics STGB7NC60HT4封装/规格:IGBT 600V 25A 80W D2PAK。您可以下载STGB7NC60HT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB7NC60HDT4是IGBT 600V 25A 80W D2PAK,包括PowerMESH?系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.079014盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装盒设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB以及标准输入型,该设备也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为D2PAK,该设备为单配置,该设备的最大功率为80W,反向恢复时间trr为37ns,集电器Ic最大值为25A,集电器发射极击穿最大值为600V,集电器脉冲Icm为50A,最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V,7A,开关能量为95μJ(开),115μJ(关),栅极电荷为35nC,25°C时的Td为18.5ns/72ns,测试条件为390V、7A、10 Ohm、15V,Pd功耗为25W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V,集电极/发射极饱和电压为2.5 V,25℃时的连续集电极电流为10A,栅极发射极漏电流为+/-100nA,最大栅极发射极电压为+/-20V,连续集电极电压Ic-Max为25A。
STGB7NB60KDT4是IGBT 600V 14A 80W D2PAK,包括600V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在2.8V@15V、7A Vce on Max Vge Ic下工作,测试条件如数据表注释所示,用于480V、7A、10欧姆、15V,提供25°C的Td开-关特性,如15ns/50ns,开关能量设计为在140μJ(关)下工作,以及D2PAK供应商设备包,该设备也可以用作PowerMESH?系列此外,反向恢复时间trr为50ns,该设备的最大功率为80W,该设备具有包装的磁带和卷轴(TR),包装箱为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB,安装类型为表面安装,输入类型为标准,栅极电荷为32.7nC,集电器脉冲Icm为56A,集电器Ic最大值为14A。
STGB7NC60HD带有ST制造的电路图。STGB7NC 60HD采用TO-263封装,是IC芯片的一部分。