9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGD7NB120ST4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGD7NB120ST4参考价格为13.316美元。STMicroelectronics STGD7NB120ST4封装/规格：IGBT 1200V 10A 55W DPAK。您可以下载STGD7NB120ST4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGD6NC60HDT4是IGBT 600V 15A 56W DPAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及标准输入类型，该设备也可以用作表面安装安装类型。此外，供应商设备包为D-Pak，该设备为单配置，该设备最大功率为56W，反向恢复时间trr为21ns，集电器Ic最大值为15A，集电器-发射器击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为21A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，3A，开关能量为20μJ（开），68μJ（关），栅极电荷为13.6nC，25°C时的Td为12ns/76ns，测试条件为390V、3A、10 Ohm、15V，Pd功耗为50W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.9 V，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为+/-20V，且连续集电极电流Ic-Max为15A。
STGD6NC60HT4是IGBT 600V 15A 56W DPAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、3A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、3A、10欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如12ns/76ns，开关能量设计为在20μJ（开）、68μJ（关）下工作，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可以用作PowerMESH？系列此外，功率最大值为56W，该设备采用Digi-ReelR封装，该设备具有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装外壳，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为13.6nC，集流器脉冲Icm为21A，集流器Ic最大值为15A。
STGD7NB120S-1是IGBT 1200V 10A 55W IPAK，包括10A集流器Ic Max，它们设计为与20A集流器脉冲Icm一起工作，栅极电荷如数据表注释所示，用于29nc，提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-251-3短引线、IPAK、to-251AA封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为55W，该设备采用PowerMESH？系列，该设备具有供应商设备包的I-Pak，开关能量为15mJ（关断），25°C时的Td为570ns/-，测试条件为960V、7A、1kOhm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V、7A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
