STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了先进的IGBT系列PowerMESH?IGBT,性能卓越。后缀“S”表示一个优化的系列,以实现低频应用的最小电压降。
特色
- 低压降(V行政长官(sat))
- 高电流能力
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STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了先进的IGBT系列PowerMESH?IGBT,性能卓越。后缀“S”表示一个优化的系列,以实现低频应用的最小电压降。
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