该IGBT采用先进的PowerMESH？该工艺在低频工作条件下（高达1kHz）具有极低的通态压降。
特色
- 低压降（V行政长官（sat）)
- 高电流能力
STGP10NB60SFP
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 25瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥303.32402
-
数量:
- +
- 总计: ¥303.32
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规格参数
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 通孔
- 部件状态 过时的
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 最大集电极电流 (Ic) 23 A
- 最大整流电流 (Icm) 80 A
- 门电荷 33 nC
- 供应商设备包装 TO-220FP
- 最大功率 25瓦
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.75V@15V，10A
- 开关能量 600J (on), 5mJ (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 700ns/1.2s
- 试验条件 480V, 10A, 1kOhm, 15V
STGP10NB60SFP 产品详情
STGP10NB60SFP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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STGP10NB60SFP所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP10NB60SFP 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP10NB60SFP价格参考￥303.324018，你可以下载 STGP10NB60SFP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP10NB60SFP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
