9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGWA35HF60WDI，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGWA35HF60WDI参考价格为13.451美元。STMicroelectronics STGWA35HF60WDI封装/规格：IGBT 600V 70A 260W TO247。您可以下载STGWA35HF60WDI英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGWA25S120DF3带有引脚细节，包括900-1300V IGBT系列，它们设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可作为to-247-33供应商设备包使用。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为375W，该设备具有265ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为50A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为100A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，25A，开关能量为830μJ（on），2.37mJ（关），栅极电荷为80nC，25°C时的Td为31ns/147ns，测试条件为600V、25A、15 Ohm、15V，Pd功耗为375 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.6 V，25℃时的连续集电极电流为50A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为25A。
STGWA30M65DF2，带有用户指南，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、30A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、30A、10欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如31.6ns/15ns，开关能量设计为在300μJ（开）、960μJ（关）下工作，以及TO-247长引线供应商设备包，该设备也可以用作140ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为258W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为80nC，集电器脉冲Icm为120A，集电器Ic最大值为60A。
STGWA30N120KD是IGBT 1200V 60A 220W TO247，包括60A集流器Ic Max，它们设计用于100A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于105nC的栅极电荷，该105nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为220W，设备提供84ns反向恢复时间trr，设备具有PowerMESH？系列，供应商设备包为TO-247，开关能量为2.4mJ（开）、4.3mJ（关），25°C时的Td为36ns/251ns，测试条件为960V、20A、10 Ohm、15V，Vce on Max Vge Ic为3.85V@15V，20A，电压集电极-发射极击穿最大值为1200V。
