STGW40V60DLF

Name: STGW40V60DLF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7176350-STGW40V60DLF
Price: 33.679485 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	37.01121	37.01121
10+	33.27388	332.73883
100+	27.25937	2725.93780
500+	23.20538	11602.69100
1000+	23.07877	23078.77700

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
集电极击穿电压 600 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 80 A
最大整流电流 (Icm) 160 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
试验条件 400V, 40A, 10欧姆, 15V
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 40A
供应商设备包装 TO-247-3
最大功率 283 W
门电荷 226 nC
开关能量 411J (off)
开通/关断延时 (25°C) -/208纳秒

STGW40V60DLF 产品详情

该器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。该器件是V系列IGBT的一部分，代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化极高频率转换器的效率。此外，正V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

仅设计用于软换向
最高结温：T_J=175°C
无尾关闭
五、_{行政长官（sat）}=1.8 V（典型值）@I_C=40年
紧密参数分布
安全并联
低热阻
低电压_F软恢复共封装二极管

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STG3684AUTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 500毫欧姆供应商设备包装: 10-QFN（1.8x1.4）工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥2.50315
STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGW40V60DLF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW40V60DLF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW40V60DLF价格参考￥33.679485，你可以下载 STGW40V60DLF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW40V60DLF规格参数、现货库存、封装信息等信息！