特色
- 高速切换
- 低饱和电压：VCE（sat）=2.1V@IC=12A
- 高输入阻抗
应用
- 其他工业
SGF23N60UFDTU
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-3PF
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥15.26803
-
数量:
- +
- 总计: ¥15.27
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规格参数
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 部件状态 过时的
- 集电极击穿电压 600 V
- 工作温度 -
- 最大功率 75 W
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大集电极电流 (Ic) 23 A
- 最大整流电流 (Icm) 92 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 12A
- 开关能量 115J（开），135J（关闭）
- 开通/关断延时 (25°C) 17ns/60ns
- 试验条件 300V, 12A, 23欧姆, 15V
- 包装/外壳 TO-3P-3全套
- 供应商设备包装 TO-3PF
- 反向恢复时长 (trr) 60 ns
- 门电荷 49 nC
SGF23N60UFDTU 产品详情
Fairchild的UF系列IGBT提供低导通和开关损耗。UF系列设计用于一般逆变器和PFC等需要高速开关的应用。
SGF23N60UFDTU 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SGF-21T-5 | 日本科学技术协会 (JST) | 端子类别: 母插座（插座） 线规: 18-22 AWG 连接头表面工艺: 锡 连接头材料: 黄铜 | ¥0.14631 |
| SGF25-TR-E | 安盛美 (onsemi) | GAAS MOSFET AMPLIFIER | ¥2.10044 |
 | SGF23N60UFTU | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.84255 | |
 | SGF80N60UFTU | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 110瓦 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.15641 | |
 | SGF80N60UFTU-ON | 安盛美 (onsemi) | IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL | ¥34.40378 |
 | SGF80N60UFTU | 安盛美 (onsemi) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 110瓦 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥43.99338 |
 | SGF23N60UFTU | 安盛美 (onsemi) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.37912 |
| SGF23N60UFDTU | 安盛美 (onsemi) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-3PF | ¥15.26803 |
| SGF-51T-5 | 日本科学技术协会 (JST) | ¥0.16514 | |
| SGF-41T-4 | 日本科学技术协会 (JST) | ¥0.47658 |
SGF23N60UFDTU所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），SGF23N60UFDTU 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SGF23N60UFDTU价格参考￥15.268033，你可以下载 SGF23N60UFDTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SGF23N60UFDTU规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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